86-21-3330-3188 ::  86-21-3330-3288  ::  日本語

可靠性测试产品

可靠性测试产品

Model 1164 可靠性测试系统提供了一种测试平台,其可为所有的半导体可靠性应用提供真正的并行测试。该测试系统由专用的应用模块组成,每个模块与单独的“笔记本型烤箱”(Notebook Oven) 相配对。应用模块彼此之间完全自主操作。Model 1164 可为下列应用提供测试:

  • 电迁移 (EM)•应力迁移 (SM)
  • 时间相关的电介质击穿 (TDDB)
  • 应力诱生漏电流 (SILC
  • 热载流子注入 - MOS 型和双极型 (HCI)
  • 偏温不稳定性 (BTI)

特点

Model 1164 提供了一种模块化架构,这样客户就可以从一种与其要求精确匹配的系统规模起步,而后根据需要轻松地扩展系统规模。测试系统可由 1~64 个应用模块组成。封装级可靠性与晶圆级可靠性均得到支持。在完成测试之后,分析软件可提供一种统计分析工具,以根据各种不同的用户定义故障条件来确定故障时间,并对故障分布和寿命预期进行图示。

优势

Model 1164 测试系统提供了无可比拟的吞吐量和极低的总测试成本。世界级的服务与支持可保护客户投资并帮助客户满足至关重要的时限要求。

1164 可靠性测试系统

1164 Reliability Test System

无论您的需求是大还是小,1164 可靠性测试系统都是您的合适之选。这款通用型测试平台在单个集成型系统中提供了庞大的可靠性测试应用系列。一个紧凑型测试系统可处理多个同时进行的实验(这些实验可以是相同或不同的应用类型,且各有不同的测试温度)。该系统可以很容易地通过扩展或重新配置来满足不断变化的要求。一种基于 Windows 7™ 操作系统的直观型用户界面提供了实验控制和数据分析功能。统计分析软件可提供故障分析和寿命预测。 [查看更多]

晶圆级测试 (WLR)

Symphony WLR System

对于半导体制造商而言,本质晶圆级可靠性 (WLR) 是一种越来越有价值的工具。 [查看更多]

关于专用可靠性测试产品的信息,请与销售部门联系。

应用 目标技术
超高准确度 EM 具有 32nm 和更小几何尺寸的铜互连
高准确度 EM 具有 <90nm 几何尺寸的铜及铝互连
标准 EM 栅极长度 >90nm 的铜及铝互连
高电流 EM 低 k 值电介质、阻挡层和两端子栅极氧化物结构
标准 TDDB 厚栅极氧化物以及铜后端电介质和阻挡层的 BTS 测试
高电压 TDDB 厚栅极氧化物以及铜后端电介质和阻挡层的 BTS 测试
扩展电压 TDDB 高达 200V 的 TDDB 测试
高准确度 TDDB 最新系列的高 k 值金属栅极、薄栅极氧化物和 ILD
多端子 TDDB 多端子 MOSFET 结构
高级 HCI 4 端子 MOSFET 结构、薄栅极、超薄栅极、高 k
高电压 HCI 高电压(达 150V)HCI 测试